參數(shù)資料
型號： IXEN60N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： NPT IGBT
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 37K
代理商： IXEN60N120
2 - 2
2002 IXYS All rights reserved
IXEN 60N120
IXEN 60N120D1
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
T
stg
-40...+150
-40...+150
°
C
°
C
V
ISOL
I
ISOL
≤
1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
M
D
mounting torque
teminal connection torque
(M4)
(M4)
1.5
1.5
Nm
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R
thCH
with heatsink compound
0.1
K/W
Weight
30
g
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
miniBLOC, SOT-227 B
Diode (D1 version only)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 55 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 55 A, V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
2.4
1.9
2.6
V
V
I
F
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
110
60
A
A
I
RM
t
rr
I
F
= 55 A, -di
F
/dt = 400 A/μs, V
R
= 600 V
V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
40
A
200
ns
t
rr
I
F
= 1 A, -di
F
/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
40
ns
R
thJC
0.6
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXEN60N120D1 NPT IGBT
IXER35N120D1 NPT3 IGBT with Diode
IXER60N120 NPT3 IGBT
IXFA4N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻3.0Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFC15N80Q HiPerFET ISOPLUS 220 MOSFET Q-Class Electrically Isolated Back Surface
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXEN60N120_07 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:NPT3 IGBT in miniBLOC package
IXEN60N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEP2300 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:300-Output ePaper Gate Driver
IXEP2300WB 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:300-Output ePaper Gate Driver
IXEP2300XB 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:300-Output ePaper Gate Driver
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*