參數(shù)資料
型號： IXFX30N100Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 30 A, 1000 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 584K
代理商： IXFX30N100Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
IXFK 30N100Q2
IXFX 30N100Q2
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
Q
G
- nanoCoulombs
80
100 120 140 160 180 200
V
G
V
DS
= 500V
I
D
= 15A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.4
0.5
0.6
0.7
V
S D
- Volts
0.8
0.9
1
1.1
1.2
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0.01
0.10
1.00
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
o
C
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PDF描述
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IXGA16N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
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參數(shù)描述
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