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參數(shù)資料
| 型號： | IXGH32N60BU1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）) |
| 中文描述： | 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | IXGH32N60BU1 |
3 - 6
2000 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
V
G
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
I
C
0
20
40
60
80
100
V
GE
- Volts
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
7V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 16A
I
C
= 32A
I
C
= 64A
T
J
=
125
°
C
V
GE(th)
I
C
= 250μA
BV
CES
I
C
= 250μA
G32N60B P1
5V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
I
C
0
20
40
60
80
100
T
J
= 125
°
C
IXGH32N60BU1
Fig. 6. Temperature Dependence of BV
DSS
& V
GE(th)
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH32N60B | HiPerFAST IGBT |
| IXGH32N60C | HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
| IXGH35N120B | HiPerFAST IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
| IXGH35N120 | IGBT Lightspeed Series |
| IXGH35N120C | IGBT Lightspeed Series |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGH32N60BU1S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH32N60C | 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH32N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH32N60CS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH32N90B2 | 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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