參數(shù)資料
型號： IXGH32N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IXGH32N60C
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
GE
- Volts
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
V
GE
= 15V
13V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 16A
I
C
= 32A
I
C
= 64A
T
J
=
125
°
C
f = 1Mhz
5V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
7V
9V
5V
7V
9V
V
GE
= 15V
13V
C
iss
C
oss
C
rss
11V
11V
IXGH 32N60C
IXGT 32N60C
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 3. High Temperature Output Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6. Capacitance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH35N120B HiPerFAST IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH35N120 IGBT Lightspeed Series
IXGH35N120C IGBT Lightspeed Series
IXGT35N120C IGBT Lightspeed Series
IXGH38N60U1 Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH32N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH32N60CS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH32N90B2 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH32N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH34N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 34 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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