參數(shù)資料
型號： IXGH39N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 76 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： IXGH39N60BD1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH39N60B
IXGH39N60BD1 IXGT39N60BD1
IXGT39N60B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
19
28
S
C
ies
C
oes
2750
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
39N60B
39N60BD1
200
240
pF
pF
C
res
50
pF
Q
G
Q
GE
Q
GC
110
150
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
25
35
nC
40
75
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
25
ns
30
ns
250
500
ns
200
360
ns
4.0
6.0
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
25
ns
30
ns
0.3
mJ
360
ns
350
ns
6.0
mJ
R
thJC
R
thCK
0.62 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 4.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
e
P
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 4.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= I
, V
= 0 V, Pulse test T
J
=150
°
C
t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 % T
J
= 25
°
C
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/
μ
s; V
R
= 30 V T
J
= 25
°
C
1.6
2.5
V
V
I
RM
t
rr
6
A
T
J
= 100
°
C 100
ns
ns
25
R
thJC
0.9 K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH40N30 HiPerFAST IGBT
IXGH40N30A HiPerFAST IGBT
IXGH40N30AS HiPerFAST IGBT
IXGH40N30B HiPerFAST IGBT
IXGH40N30BS HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH39N60BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 76A I(C) | TO-247SMD
IXGH40N120A2 功能描述:IGBT 晶體管 SGL IGBT 1200V, 80A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT, Diode 1200V, 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120C3 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*