參數(shù)資料
型號： IXGH39N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 76 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： IXGH39N60BD1
2003 IXYS All rights reserved
200
600
-di
/dt
1000
0
400
800
A/
μ
s
60
70
80
90
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
°C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
μ
s
1000
0
5
10
15
20
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
s
0
5
10
15
20
25
30
A
100
1000
0
200
400
600
800
1000
0
1
2
3
0
10
20
30
40
50
60
A
I
RM
Q
r
I
F
V
-di
/dt
-di
/dt
V
nC
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
μ
s
μ
s
DSEP 29-06
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100°C
I
F
= 30A
Fig. 14
Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 13
Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 12
Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
Q
r
I
RM
Fig. 15
Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 16
Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 17
t
fr
Peak forward voltage V
FR
and
versus di
F
/dt
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
t
fr
V
FR
Fig. 18
Transient thermal resistance junction to case
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.502
0.193
0.205
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0162
1
2
3
T
VJ
=25°C
T
VJ
=100°C
T
VJ
=150°C
IXGH39N60B
IXGH39N60BD1 IXGT39N60BD1
IXGT39N60B
相關PDF資料
PDF描述
IXGH40N30 HiPerFAST IGBT
IXGH40N30A HiPerFAST IGBT
IXGH40N30AS HiPerFAST IGBT
IXGH40N30B HiPerFAST IGBT
IXGH40N30BS HiPerFAST IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGH40N120B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT, Diode 1200V, 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120C3 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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