參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH39N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 76 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： IXGH39N60BD1
2003 IXYS All rights reserved
Fig. 1. Saturation Voltage
Characteristics @ 25 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.4
0.8
1.2
V
CE
- Volts
1.6
2
2.4
I
C
V
GE
=15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 2. Extended Output
Characteristics @ 25 Deg. C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1
2
V
CE
- Volts
3
4
5
I
C
V
GE
=15V
13V
11V
9V
7V
5V
Fig. 3. Saturation Voltage
Characteristics @ 125 Deg. C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
V
CE
- Volts
3
4
5
I
C
V
GE
=15V
13V
11V
9V
7V
5V
Fig. 4. Temperature Dependence of
V
CE(SAT)
1.45
0.7
0.85
1
1.15
1.3
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
- Degrees Centigrade
V
C
I
C
=78A
I
C
=39A
I
C
=19.5A
Fig. 5. BV
CES
& V
(GE)TH
vs. Junction
Temperature
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
- Degrees Centigrade
B
C
(
-
V
GE(TH)
BV
CES
Fig. 6. Admittance
0
20
40
60
80
100
4
5
6
V
GE
- Volts
7
8
9
I
C
T
J
= 125
°
C
25
°
C
-40
°
C
IXGH39N60B
IXGH39N60BD1 IXGT39N60BD1
IXGT39N60B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH40N30 HiPerFAST IGBT
IXGH40N30A HiPerFAST IGBT
IXGH40N30AS HiPerFAST IGBT
IXGH40N30B HiPerFAST IGBT
IXGH40N30BS HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH39N60BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 76A I(C) | TO-247SMD
IXGH40N120A2 功能描述:IGBT 晶體管 SGL IGBT 1200V, 80A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT, Diode 1200V, 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120C3 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N120C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*