參數(shù)資料
型號： IXGN50N60BD2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶快速恢復(fù)外延型二極管))
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： IXGN50N60BD2
3 - 5
2000 IXYS All rights reserved
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
V
GE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
9V
5V
V
CE
= 10V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
13V
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 100A
T
J
=
125
°
C
f = 1Mhz
7V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
T
J
= 125
°
C
C
iss
C
oss
7V
5V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
9V
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
11V
C
rss
5V
IXGN 50N60BD2
IXGN 50N60BD3
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 5. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 6. Junction Capacitance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN50N60B HiPerFASTTM IGBT
IXGN60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGN80N30BD1 IGBT with Diode(VCES為300V，VCE(sat)為2.4V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGP30N60C2 HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
IXGR12N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60 功能描述:IGBT 晶體管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN72N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*