參數(shù)資料
型號： IXGR50N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 573K
代理商： IXGR50N60BD1
IXGR 50N60B
IXGR 50N60BD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
= I
; V
= 10 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
25
35
S
C
ies
4100
pF
pF
pF
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
300
50
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
110
30
35
nC
nC
nC
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
50
ns
50
ns
ns
ns
110
85
270
150
E
off
3.0
4.0
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
50
ns
60
ns
mJ
ns
3
200
250
ns
E
off
4.2
mJ
R
thJC
R
thCK
0.5
K/W
K/W
0.15
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100uH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, L = 100uH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
ISOPLUS 247 OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
=
I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300 ms, duty cycle
≤
2 %
T
= 150°C
1.6
2.5
V
V
I
RM
I
F
=
I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/ms,T
J
= 100°C
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V
R
= 30 V
3.2
A
ns
ns
t
rr
35
R
thJC
0.85 K/W
Note: I
T
,= 50A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
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IXGR50N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR50N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR55N120A3H1 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGR60N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 47 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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