參數(shù)資料
型號： IXGR50N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 573K
代理商： IXGR50N60BD1
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 5. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 6. Junction Capacitance Curves
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
V
GE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
9V
5V
V
CE
= 10V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
13V
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 100A
T
J
=
125°C
f = 1Mhz
7V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
T
J
= 125°C
C
iss
C
oss
7V
5V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
9V
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
11V
C
rss
5V
IXGR 50N60B
IXGR 50N60BD1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXGR50N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IXGR60N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 47 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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