參數(shù)資料
型號： IXGT32N170
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： IXGT32N170
2003 IXYS All rights reserved
IXGH 32N170
IXGT 32N170
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
30
60
90
120
150
180
210
240
0
2
4
6
8
10
12
14
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 17V
7V
9V
11V
13V
15V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
8
16
24
32
40
48
56
64
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
- Volts
I
C
V
GE
= 17V
15V
13V
11V
9V
7V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
8
16
24
32
40
48
56
64
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 17V
15V
13V
11V
9V
7V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat)
on
Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
V
C
-
I
C
= 32A
I
C
= 16A
V
GE
= 15V
I
C
= 64A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emiiter voltage
1
2
3
4
5
6
7
8
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
V
G E
- Volts
V
C
T
J
= 25oC
I
C
= 64A
32A
16A
Fig. 6. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
I
C
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
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PDF描述
IXGH32N50BU1 HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack
IXGH32N50BU1S HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack
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IXGH32N50BS HiPerFAST IGBT
IXGH32N60AU1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.9V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
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參數(shù)描述
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IXGT32N170 T&R 功能描述:IGBT NPT 1700V 75A TO-268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGT32N170A 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT32N60B 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGT32N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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