參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT32N170
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： IXGT32N170
2003 IXYS All rights reserved
IXGH 32N170
IXGT 32N170
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0
0.1
0.2
0.3
0.4
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXGT32N170 T&R 功能描述:IGBT NPT 1700V 75A TO-268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGT32N170A 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT32N60B 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGT32N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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