參數(shù)資料
型號(hào)： IXKC20N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package
中文描述： 14 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220LV, ISOPLUS220LV, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 527K
代理商： IXKC20N60C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
79
21
46
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 350 V, I
D
= 20 A
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
20
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 380V
I
D
= 20 A, R
G
= 3.3
55
60
10
ns
ns
ns
R
thJC
R
thCH
1
K/W
0.30
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
SD
I
= 10 A, V
GS
= 0 V
Note 3
0.8
1.2
V
Note: 1. MOSFET chip capability
2. Intrinsic diode capability
3. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
IXKC 20N60C
TO-220LV Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXKC40N60C CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220
IXKF40N60SCD1 CONN 60POS .1X.1 IDC RIBBON PCB
IXKG25N80C CoolMOS Power MOSFET ISO264
IXKN40N60 CoolMOS Power MOSFET
IXKN40N60C CoolMOS Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXKC23N60C5 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKC25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKC40N60C 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKF40N60SCD1 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKG25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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