參數(shù)資料
型號(hào)： IXKG25N80C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： CoolMOS Power MOSFET ISO264
中文描述： 25 A, 800 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISO264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 507K
代理商： IXKG25N80C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
166
18
84
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 640 V, I
D
= 17 A
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 640V
I
D
= 35 A, R
G
= 2.2
25
75
10
ns
ns
ns
R
thJC
R
thCH
0.5
K/W
0.30
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
SD
I
= 12.5 A, V
GS
= 0 V
Note 1
1
1.2
V
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
IXKG 25N80C
ISO264 OUTLINE
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - No Connection
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXKN40N60 CoolMOS Power MOSFET
IXKN40N60C CoolMOS Power MOSFET
IXKN45N80C CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60 CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60C CoolMOS Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXKH20N60C5 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH24N60C5 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH30N60C5 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH35N60C5 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH47N60C 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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