參數(shù)資料
型號(hào)： IXLF19N250A
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 19 A, 2500 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS I4-PAC-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： IXLF19N250A
2004 IXYS All rights reserved
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4
IXLF 19N250A
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V
CE
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T
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= 125°C
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V
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13 V
15 V
9 V
9 V
V
CE
V
A
I
C
A
I
C
V
V
V
V
CE
I
C
pF
C
T
J
= 25°C
V
GE
= 17 V
11 V
V
GE
= 17 V
V
CE
= 20 V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
C
oes
C
ies
C
res
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100
150
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5
10
15
20
nC
Q
G
V
V
GE
V
CE
= 1500 V
I
C
= 19 A
T
J
= 25°C
0
400
800
1200 1600 2000 2400
0
20
40
60
80
V
CE
I
CM
V
A
R
G
= 47
T
J
= 125°C
V
CEK
< V
CES
f = 1 Mhz
Fig. 1 Typ. Output Characteristics
Fig. 2 Typ. Output Characteristics
Fig. 3 Typ. Transfer Characteristics
Fig. 4 Capacitance curves
Fig. 5 Typ. Gate Charge characteristics
Fig. 6 Reverse Biased Safe Operating Area
RBSOA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXR100 Isolated, Self-Powered,Temperature Sensor Conditioning 4-20mA Two-Wire Transmitter(隔離的，自備電源的溫度傳感器4-20mA可兩線(xiàn)傳輸)
IXRH50N100 IGBT with Reverse Blocking capability
IXRH50N120 IGBT with Reverse Blocking capability
IXRH50N60 IGBT with Reverse Blocking capability
IXRH50N80 IGBT with Reverse Blocking capability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXLV19N250A 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXM5414E 860135 制造商:Intel 功能描述:INTEL DESIGNED GIGABIT ETHERNET SWITCH - Boxed Product (Development Kits)
IXMS150PSI 功能描述:IC REG CTRLR PWM 24-DIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- PWM 型:電壓模式 輸出數(shù):1 頻率 - 最大:1.5MHz 占空比:66.7% 電源電壓:4.75 V ~ 5.25 V 降壓:是 升壓:無(wú) 回掃:無(wú) 反相:無(wú) 倍增器:無(wú) 除法器:無(wú) Cuk:無(wú) 隔離:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-VFQFN 裸露焊盤(pán) 包裝:帶卷 (TR)
IXO + ANGLE ADAPTER 制造商:BOSCH 功能描述:SCREWDRIVER CDLESS 3.6V LI-IO
IXO 4 SET 制造商:Bosch 功能描述:
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