參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH20N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 112K
代理商： IXSH20N60AU1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
6
7
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
65
A
C
ies
C
oes
C
res
1800
250
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
45
Q
g
Q
ge
Q
gc
90
40
65
120
55
80
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
100
200
450
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
20N60U1
20N60AU1
350
2.5
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
200
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
1
1000
1000
600
20N60U1
20N60AU1
20N60U1
20N60AU1
E
off
9
3
5
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
0.25
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.6
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 240 A/
μ
s
V
= 360 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/
μ
s; V
R
= 30 V T
J
= 25
°
C
10
A
T
J
=125
°
C
150
35
ns
ns
50
R
thJC
1 K/W
TO-247 AD Outline
1 = Gate
2 = Collector
3 = Emitter
Tab = Collector
Inductive load, T
= 25
°
C
I
= I
, V
= 15 V,
L = 100
μ
H, V
CE
= 0.8 V
CES
,
R
= 39
Remarks: Switching times
may increase for V
(Clamp)
> 0.8 V
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
= I
, V
GE
= 15 V,
L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 39
Remarks: Switching times
may increase for V
(Clamp)
> 0.8 V
, higher T
J
or
increased R
G
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one of the following U.S.patents:
4,835,592 4,881,108 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXSH 20N60U1
IXSH 20N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH24N60AU1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXSH24N60U1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXSH24N60 HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXSH24N60A HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXSH25N100A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為4.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH20N60U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
IXSH24N60 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60A 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIES LO VCE SNGL 600V 24A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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