參數(shù)資料
型號： IXSH20N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 112K
代理商： IXSH20N60AU1
Pulse Width - Seconds
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.01
0.1
1
Single Pulse
D=0.1
D=0.2
D=0.5
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.01
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
V
G
0
3
6
9
12
15
I
C
= 20A
V
CE
= 300V
R
g
- Ohms
0
20
40
60
80
100
120
E
o
0
1
2
3
4
5
6
t
f
0
100
200
300
400
500
600
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
E
o
0
1
2
3
4
5
6
t
f
0
100
200
300
400
500
600
T
J
= 125°C
R
G
= 22
E
off
(-A)
hi-speed
t
fi
(-A)
hi-speed
D = Duty Cycle
E
off
(-A)
hi-speed
t
fi
(-A)
hi-speed
T
J
= 125°C
I
C
= 20A
T
J
= 125°C
R
G
= 10
dV/dt < 6V/ns
D=0.01
D=0.02
D=0.05
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10
Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
IXSH 20N60U1
IXSH 20N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH24N60AU1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXSH24N60U1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXSH24N60 HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXSH24N60A HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXSH25N100A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為4.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH20N60U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
IXSH24N60 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60A 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIES LO VCE SNGL 600V 24A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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