參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH30N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXSH30N60U1
2 - 6
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
7
13
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
100
A
C
ies
C
oes
C
res
2760
240
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
51
Q
g
Q
ge
Q
gc
110
34
47
150
45
63
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
60
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
130
400
400
200
2.5
30N60U1
30N60AU1
30N60AU1
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
60
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
130
4.2
540
340
600
340
12
30N60U1
30N60AU1
30N60U1
30N60AU1
30N60U1
30N60AU1
1000
525
1500
700
t
fi
E
off
6
R
thJC
R
thCK
0.63 K/W
0.25
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.6
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 240 A/ s
V
= 360 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/ s; V
R
= 30 V
10
150
35
15
A
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
ns
ns
50
R
thJC
1 K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
Remarks: Switching times
may increase for
V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher
T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
= 0.8 V
, R
= 4.7
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
,
higher T
J
or increased R
G
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60AU1 Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
IXSH30N60 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSH30N60A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
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參數(shù)描述
IXSH35N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD
IXSH35N100A 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N135A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD
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