參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH30N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXSH30N60U1
5 - 6
2000 IXYS All rights reserved
di
F
/dt - A/μs
0
200
400
600
t
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0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
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F
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400
600
I
R
0
10
20
30
40
di
F
/dt - A/μs
1
10
100
1000
Q
r
0
1
2
3
4
T
J
- Degrees C
0
40
80
120
160
N
R
/
r
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0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Q
r
I
RM
di
F
/dt - A/μs
0
100
200
300
400
500
600
t
f
0
200
400
600
800
1000
V
F
0
5
10
15
20
25
t
fr
V
FR
Voltage Drop - Volts
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
C
0
20
40
60
80
100
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
F
= 37A
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
I
F
= 30A
T
J
= 100
°
C
V
R
= 350V
T
J
= 100
°
C
V
R
= 350V
T
J
= 100
°
C
V
R
= 350V
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
max.
I
F
= 30A
max.
I
F
= 30A
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
max.
Fig.14 Junction Temperature Dependence
off I
RM
and Q
r
Fig.15 Reverse Recovery Chargee
Fig.16 Peak Reverse Recovery Current
Fig.17 Reverse Recovery Time
Fig.12 Maximum Forward Voltage Drop
Fig.13
Peak Forward Voltage V
FR
and
Forward Recovery Time t
fr
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60AU1 Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
IXSH30N60 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSH30N60A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH35N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD
IXSH35N100A 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N135A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD
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