參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH30N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管(帶二極管）)
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 82K
代理商： IXSH30N60U1
4 - 6
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
J
0.001
0.01
0.1
1
Single pulse
D=0.5
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.01
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
t
f
0
250
500
750
1000
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
E
o
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
t
f
0
250
500
750
1000
E
off
(-A)
hi-speed
t
fi
(-A)
hi-speed
D = Duty Cycle
T
J
= 125
°
C
R
G
= 10
W
t
fi
(-A), hi-speed
E
off
(-A), hi-speed
T
J
= 125
°
C
I
C
= 30A
I
C
= 30A
V
CE
= 300V
T
J
= 125
°
C
R
G
= 4.7
W
dV/dt < 6V/ns
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.2
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60AU1 Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管(帶二極管）)
IXSH30N60 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXSH30N60A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXSM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
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參數(shù)描述
IXSH35N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD
IXSH35N100A 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N135A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD
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