參數(shù)資料
型號： IXSN35N120AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with Diode
中文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SOT-227B, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： IXSN35N120AU1
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
= I
; V
= 10 V,
20
26
S
I
C(on)
V
CE
= 10 V, V
GE
= 15 V
170
A
C
ies
C
oes
C
res
3900
295
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
60
Q
g
Q
ge
Q
gc
150
40
70
190
60
100
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
80
ns
ns
ns
ns
mJ
150
400
500
10
900
700
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
on
E
off
80
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
150
400
700
6
15
R
thJC
R
thCK
0.42 K/W
0.05
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
2.35
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 480 A/ s
V
= 540 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ s; V
R
= 30 V
32
225
40
35
A
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
ns
ns
60
R
thJC
0.71 K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
= 15 V,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
, V
= 15 V,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXSN35N120AU1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN50N60BD2 High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復外延型二極管))
IXSN52N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSN55N120AU1 High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN55N120 High Voltage IGBT
IXSN55N120A High Voltage IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSN40N60AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B
IXSN50N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B
IXSN50N120AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B
IXSN50N60BD2 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN50N60BD3 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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