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參數(shù)資料
| 型號： | IXSN35N120AU1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage IGBT with Diode |
| 中文描述： | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | SOT-227B, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | IXSN35N120AU1 |
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXSN35N120AU1
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse
D=0.2
V
CE
- Volts
0
200
400
600
800
1000
1200
I
C
0.01
0.1
1
10
100
T
J
= 125
°
C
R
G
= 2.7
W
dV/dt < 5V/ns
Q
G
- nanocoulombs
0
50
100
150
200
V
G
-
0
3
6
9
12
15
I
C
= 35A
V
CE
= 500V
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
14
15
16
17
18
t
f
250
500
750
1000
1250
T
J
= 125
°
C
I
C
= 35A
t
fi
E
off
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
E
o
5
10
15
20
25
t
f
250
500
750
1000
1250
E
off
t
fi
D = Duty Cycle
T
J
= 125
°
C
R
G
= 10
W
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.5
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN50N60BD2 | High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復外延型二極管)) |
| IXSN52N60AU1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSN55N120AU1 | High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管) |
| IXSN55N120 | High Voltage IGBT |
| IXSN55N120A | High Voltage IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IXSN50N100AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N120AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
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| IXSN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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