參數資料
型號： IXSN52N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC, COMBI PACK-4
文件頁數： 4/5頁
文件大小： 148K
代理商： IXSN52N60AU1
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXSN52N60AU1
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
0
2
4
6
8
10
t
f
0
200
400
600
800
1000
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
700
I
C
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J
= 125
°
C
R
G
= 2.7
W
dV/dt < 6V/ns
Q
g
- nCoulombs
0
50
100
150
200
250
V
G
0
3
6
9
12
15
t
fi
E
off
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
t
f
0
250
500
750
1000
E
o
0
3
6
9
12
t
fi
E
off
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
T
J
= 125
°
C
R
G
= 10
W
IGBT
T
J
= 125
°
C
I
C
= 52A
I
C
= 52A
V
CE
= 480V
Diode
Single Pulse
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
相關PDF資料
PDF描述
IXSN55N120AU1 High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN55N120 High Voltage IGBT
IXSN55N120A High Voltage IGBT
IXSN62N60U1 IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability
IXSN80N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
相關代理商/技術參數
參數描述
IXSN55N100U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B
IXSN55N120 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXSN55N120A 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN55N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 110 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN55N120U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B
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