參數(shù)資料
型號(hào)： IXSN52N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC, COMBI PACK-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： IXSN52N60AU1
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXSN52N60AU1
Fig. 12 Forward current
versus voltage drop.
Fig. 13 Recovery charge versus -di
F
/dt.
Fig. 14 Peak reverse current versus
-di
F
/dt.
Fig. 15. Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 16 Recovery time versus -di
F
/dt.
Fig. 17 Peak forward voltage vs. di
F
/dt.
Fig. 18 Transient thermal impedance junction to case.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN55N120AU1 High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN55N120 High Voltage IGBT
IXSN55N120A High Voltage IGBT
IXSN62N60U1 IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability
IXSN80N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
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參數(shù)描述
IXSN55N100U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B
IXSN55N120 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXSN55N120A 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN55N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 110 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN55N120U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B
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