參數(shù)資料
型號(hào)： IXSN80N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
中文描述： 160 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： IXSN80N60AU1
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
700
I
C
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J
= 125
°
C
R
G
= 22
W
dV/dt < 6V/ns
Q
g
- nCoulombs
0
100
200
300
400
500
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
0
4
8
12
16
20
t
f
0
200
400
600
800
1000
t
fi
E
off
I
C
- Amperes
0
20
40
60
80
100 120 140 160
t
f
0
200
400
600
800
1000
E
o
0
6
12
18
24
E
off
t
fi
T
J
= 125
°
C
R
G
= 10
W
Time - Seconds
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.001
0.01
0.1
1
IGBT
Single Pulse
Diode
T
J
= 125
°
C
I
C
= 80A
I
C
= 80A
V
CE
= 480A
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
IXSN80N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN80N60A High Current IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為3V的大電流絕緣柵雙極晶體管)
IXSN80N60BD1 IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability
IXSP16N60 Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSA16N60 Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)典型值為1.8V的絕緣柵雙極晶體管)
IXSR35N120BD1 IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為3.6V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSN80N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 160 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP10N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP16N60 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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