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參數(shù)資料
| 型號： | IXSR35N120BD1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為3.6V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）) |
| 中文描述： | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | IXSR35N120BD1 |
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXSR 35N120BD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
= ; V
= 10 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
16
23
S
C
iss
C
oss
C
rss
3600
315
75
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
120
33
49
nC
nC
nC
I
C
= V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
36
27
160
180
ns
ns
ns
ns
mJ
300
300
5
9
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
38
29
ns
ns
mJ
ns
ns
6
240
340
E
off
9
mJ
R
thJC
R
thCK
0.5 K/W
0.15
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
2.75
1.85
V
I
RM
t
rr
I
F
= V
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/ s
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ s; V
R
= 30 V
7 14.3
A
40
ns
R
thJC
0.83
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= V
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
!
!
"
"
#
$
%&'(()
!(*')
(((
Note: 1. I
T
= 35A
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