參數(shù)資料
型號： IXSR40N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
中文描述： 62 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： IXSR40N60CD1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
16
typ.
23
max.
g
fs
I
= I
; V
= 10 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
S
C
ies
C
oes
C
res
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
3700
440
60
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS ,
25 V, = f = 1 MHz
190
45
88
nC
nC
nC
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
50
50
70
70
1.0
ns
ns
ns
ns
mJ
140
120
1.7
50
50
2.2
140
140
ns
ns
mJ
ns
ns
1.7
mJ
R
thJC
R
thCK
0.6 K/W
K/W
0.15
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
GE
= 0 V,
Pulse test
1.8
V
300 s, duty cycle d 2 %
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/ s
V
R
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ s; V
R
= 30 V
2
2.5
A
35
ns
R
thJC
1.15 K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 2.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Note: 1. I
T
= 40A
IXSR 40N60CD1
ISOPLUS 247 (IXSR) OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
S
13.21
T
15.75
U
1.65
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
13.72
16.26
3.03
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關PDF資料
PDF描述
IXSX35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為4V的高電壓絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSX50N60AU1 IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60AU1S IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXTA05N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻15Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET)
IXTA110N055P PolarHT Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IXSR50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST15N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST24N60B 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Speed IGBT
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