參數(shù)資料
型號(hào)： IXST15N120BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S Series - Improved SCSOA Capability
中文描述： 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： IXST15N120BD1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Note 2
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
7
9.5
S
C
ies
C
oes
C
res
1400
120
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
37
Q
g
Q
ge
Q
gc
57
14
25
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
30
25
ns
ns
ns
ns
mJ
148
126
1.5
300
250
2.9
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
30
25
2.6
265
298
3.1
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V
R
= 10
V
CE
= 0.8 V
CES
Note 3
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V
R
G
= 10
V
= 0.8 V
CES
Note 3
Notes: 1. Device must be heatsunk for high temperature leakage current measurements to
avoid thermal runaway.
2. Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
3. Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
orincreased R
G
.
IXSH 15N120BD1
IXST 15N120BD1
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
GE
= 0 V
Note 2
T
J
= 150
O
C
T
J
= 25
O
C
1.7
2.5
V
V
I
RM
I
F
= 30A; V
= 0 V; T
= 100 C
V
R
= 100 V; -di
F
/dt = 100 A/ s
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ s; V
R
= 30 V
5.5
A
t
rr
R
thJC
T
J
= 25 C
30
ns
0.9 K/W
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-268AA (D
3
PAK)
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH15N120AU1 IGBT with Diode
IXSH15N120B High Voltage IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.4V的高電壓絕緣柵雙極晶體管)
IXSH16N60U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為1.8V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSH20N60U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
IXSH20N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXST24N60B 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Speed IGBT
IXST24N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST30N60B 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST30N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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