參數(shù)資料
型號： IXTA75N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 581K
代理商： IXTA75N10P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTA 75N10P IXTP 75N10P
IXTQ 75N10P
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 50V
I
D
= 37.5A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
15
30
45
60
75
90
105
120
5
6
7
8
9
10
11
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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