型號: | IXTH12N90 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導通電阻0.90Ω的N溝道增強型MegaMOSFET) |
中文描述: | 12 A, 900 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
封裝: | TO-247AD, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 102K |
代理商: | IXTH12N90 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTH14N100 | MegaMOSTMFET |
IXTH14N80 | MegaMOSFET |
IXTH16P20 | Standard Power MOSFET |
IXTH1N100 | High Voltage MOSFET |
IXTT1N100 | High Voltage MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTH12N95 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
IXTH12P25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
IXTH130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH130N20T | 功能描述:MOSFET 130Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |