參數(shù)資料
型號(hào)： IXTH3N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power MOSFETs
中文描述： 3 A, 1200 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： PLASTIC, TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 140K
代理商： IXTH3N120
2003 IXYS All rights reserved
I
D
= 3A
T
J
= 25
O
C
V
GS
- Volts
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
I
D
=1.5A
I
D
- Amperes
0
1
2
3
4
5
R
D
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
V
DS
- Volts
0
3
6
9
12
15 18
21 24 27 30
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10 12 14
16
18
20
I
D
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 10V
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
5V
4V
5V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
T
J
= 125
O
C
6V
V
GS
= 9V
8V
7V
V
GS
= 10V
Fig.1 Output Characteristics @ T
j
= 25°C
Fig. 2 Output Characteristics @ T
j
= 125°C
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence of Drain
to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 6 Drain Current vs Gate Source Voltage
IXTH 3N120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH40N30 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻0.085Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTH35N30 MegaMOSTMFET
IXTM40N30 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻0.088Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTH50P085 Standard Power MOSFET
IXTH50P10 Standard Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IXTH40N25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR
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