參數(shù)資料
型號： IXTN30N100L
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFETs with Extended FBSOA
中文描述： 30 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： IXTN30N100L
IXTB 30N100L
IXTN 30N100L
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
6
10
15
S
C
iss
C
oss
C
rss
11.4
800
150
nF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
36
70
100
78
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 15 V, V
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
Ω
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
530
125
150
nC
nC
nC
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
R
thCK
0.156 K/W
PLUS264
SOT-227B
0.15
0.05
K/W
K/W
PLUS264 Outline
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
Safe Operating Area Specification
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
SOA
V
DS
= 600 V, I
D
= 0.5A, T
C
= 90°C
300
W
Note 1: Pulse test, t < 300
μ
s, duty cycle d < 2 %
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min.
Symbol
Test Conditions
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
30
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
50
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t < 300 ms, duty cycle d < 2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
1000
ns
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTC13N50 Power MOSFET ISOPLUS220
IXTC26N50P PolarHV Power MOSFET
IXTH10N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.20Ω的N溝道增強型MegaMOSFET)
IXTM10N100 MegaMOS FET
IXTH12N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.05Ω的N溝道增強型MegaMOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTN320N10T 功能描述:MOSFET 320 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN32P60P 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN36N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 36A I(D)
IXTN36N50 功能描述:MOSFET 36 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN36N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
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