參數(shù)資料
型號: IXTN30N100L
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Power MOSFETs with Extended FBSOA
中文描述: 30 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 105K
代理商: IXTN30N100L
IXTB 30N100L
IXTN 30N100L
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
4
5
6
7
8
9
10
11
V
GS
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
- 40oC
Fig. 8. Transconductance
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= - 40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
V
SD
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
100
200
Q
G
- NanoCoulombs
300
400
500
600
V
G
V
DS
= 500V
I
D
= 15A
I
G
= 10mA
Fig. 11. Capacitance
10
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
f
= 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
相關PDF資料
PDF描述
IXTC13N50 Power MOSFET ISOPLUS220
IXTC26N50P PolarHV Power MOSFET
IXTH10N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻1.20Ω的N溝道增強型MegaMOSFET)
IXTM10N100 MegaMOS FET
IXTH12N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻1.05Ω的N溝道增強型MegaMOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXTN32P60P 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN36N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 36A I(D)
IXTN36N50 功能描述:MOSFET 36 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN36N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B