參數(shù)資料
型號(hào)： IXTN30N100L
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFETs with Extended FBSOA
中文描述： 30 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： IXTN30N100L
2006 IXYS All rights reserved
IXTB 30N100L
IXTN 30N100L
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T
C
= 25oC
0
1
10
100
10
100
1000
10000
V
DS
- Volts
I
D
T
J
= 150oC
25μs
1ms
100μs
10ms
DC
Fig. 14. Maximum Transient Thermal Resistance
0.001
0.010
0.100
1.000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
R
(
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T
C
= 90oC
0
1
10
100
10
100
1000
10000
V
DS
- Volts
I
D
T
J
= 150oC
25μs
1ms
100μs
10ms
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTC13N50 Power MOSFET ISOPLUS220
IXTC26N50P PolarHV Power MOSFET
IXTH10N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.20Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTM10N100 MegaMOS FET
IXTH12N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.05Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTN320N10T 功能描述:MOSFET 320 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN32P60P 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN36N45 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 36A I(D)
IXTN36N50 功能描述:MOSFET 36 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN36N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
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