參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP62N15P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 62 A, 150 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： IXTP62N15P
2006 IXYS All rights reserved
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
2
4
6
8
V
D S
- Volts
10
12
14
16
18
20
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150
o
C
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
7
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 62A
I
D
= 31A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
T
C
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
175
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 175oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTA75N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTP75N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTQ75N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTA8N50P PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP64N055T 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP6N100D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP6N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP6N50P 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP6N60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
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