參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP62N15P
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 62 A, 150 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 255K
代理商： IXTP62N15P
2006 IXYS All rights reserved
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
Fig . 13. M axim u m T ran s ie n t T h e rm al Re s is tan ce
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10
100
1000
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTA75N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTP75N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTQ75N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTA8N50P PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP64N055T 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP6N100D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP6N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP6N50P 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP6N60 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
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