參數(shù)資料
型號： JANTXV2N7373
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 5A條一（c）|至254AA
文件頁數(shù)： 6/19頁
文件大小： 103K
代理商： JANTXV2N7373
MIL-PRF-19500/512E
14
TABLE I. Group A inspection - Continued.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limits
Unit
Method
Conditions
Min
Max
Subgroup 2 – Continued
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 100 mA dc
hFE2
100
300
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 500 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
hFE3
70
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 1.0 A dc;
pulsed (see 4.5.1)
hFE4
25
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 150 mA dc; IB = 15 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)1
0.15
V dc
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 500 mA dc; IB = 50 mA dc;
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)2
0.50
V dc
Collector – emitter
saturated voltage
3071
IC = 1.0 A dc; IB = 100 mA dc;
pulsed (see 4.5.1)
VCE(SAT)3
1.0
V dc
Base – emitter
Saturated voltage
3066
Test condition A; IC = 150 mA
dc; IB = 15 mA dc pulsed (see
4.5.1)
VBE(SAT)1
0.9
V dc
Base - emitter
Saturated voltage
3066
Test condition A; IC = 500 mA
dc; IB = 50 mA dc; pulsed (see
4.5.1)
VBE(SAT)2
1.2
V dc
Subgroup 3
High-temperature
operation:
TA = +150°C
Collector -base
cutoff current
3036
Bias condition D;
VCB = 60 V dc
ICBO3
25
A dc
Low-temperature
operation:
TA = -55°C
Forward-current
transfer ratio
3076
VCE = 5.0 V dc; IC = 500 mA dc
pulsed (see 4.5.1)
hFE5
30
See footnotes at end of table.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTXV2N918 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72
JCLFCMEN-15.000MHZ Voltage-Controlled Oscillator
JCLFCMEN-155.520MHZ Voltage-Controlled Oscillator
JCLFCMEN-170.000MHZ Voltage-Controlled Oscillator
JCLFCMEN-77.760MHZ Voltage-Controlled Oscillator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANTXV2N918 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Bulk
JANTXV2N918UB 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin UB 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Waffle Pack
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