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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89083AF-AIFB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | JT 55C 55#22 SKT PLUG |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 25/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89083AF-AIFB |
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K4C89183AF
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REV. 0.7 Jan. 2005
Timing Diagrams
Single Bank Read Timing (CL=4)
CLK
CLK
Command
Address
RDA
DESL
LAL
RDA
DESL
LAL
RDA
DESL
LAL
RDA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
UA
#0
#0
#0
#0
Unidirectional DS/QS mode
Bank Add.
(Output)
QS
(Output)
DQ
(Input)
DS
Unidirectional DS/Free Running QS mode
Q0 Q1 Q2 Q3
Q0 Q1 Q2 Q3
Q0
Q0 Q1 Q2 Q3
Q0 Q1 Q2 Q3
Q0
l
RC
=5cycles
l
RC
=5cycles
l
RC
=5cycles
l
RCD
=1cycle
l
RAS
=4cycles
l
RCD
=1cycle
l
RAS
=4cycles
l
RCD
=1cycle
l
RAS
=4cycles
Low
CL=4
Hi-Z
CL=4
CL=4
CL=4
Hi-Z
CL=4
CL=4
(Output)
QS
(Output)
DQ
(Input)
DS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89093AF-AIFB | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89163AF-AIFB | JT 8C 8#16 PIN PLUG |
| K4C89183AF-AIFB | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-GIFB | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89093AF-GCF5 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 250V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4C89083AF-GCF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-GCF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-GCFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-GIF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-GIF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
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