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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4C89163AF-GCF6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 35/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89163AF-GCF6 |
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K4C89183AF
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1
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13
14
15
REV. 0.7 Jan. 2005
Multiple Bank Read Timing (CL=5)
Unidirectional DS/QS mode
Unidirectional DS/Free Running QS mode
Command
Address
RDA
LAL
LA
UA
Bank
"a"
Bank Add.
RDA
LAL
DESL
RDA
LAL
RDA
LAL
RDA
LAL
RDA
LAL
RDA
LAL
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
Bank
"b"
Bank
"a"
Bank
"b"
Bank
"c"
Bank
"d"
Bank
"a"
l
RBD
=2cycles
Qa0Qa1
Low
Hi-Z
(Output)
QS
DQ
(input)
DS
Qb0Qb1
Qa0Qa1
Qb0Qb1
(Output)
Qa2Qa3
Qb2Qb3
Qa2 Qa3
Qb2
(Output)
QS
DQ
(input)
DS
(Output)
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RC
(Bank"a")=6cycles
l
RC
(Bank"6")=6cycles
CL=5
CL=5
Qa0Qa1
Hi-Z
Qb0Qb1
Qa0Qa1
Qb0Qb1
Qa2Qa3
Qb2Qb3
Qa2 Qa3
Qb2
CL=5
CL=5
CLK
CLK
Note : l
RC
to the same bank must be satisfied
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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