參數(shù)資料
型號： K4F160812D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 50V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 200萬× 8位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器的快速頁面模式
文件頁數(shù)： 14/20頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： K4F160812D
K4F170811D, K4F160811D
K4F170812D, K4F160812D
CMOS DRAM
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DQ0 ~ DQ3(7)
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FAST PAGE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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K4F170812D 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
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K4F660412D 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
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