參數(shù)資料
型號(hào)： K4F160812D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 50V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 200萬(wàn)× 8位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 20/20頁(yè)
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代理商： K4F160812D
K4F170811D, K4F160811D
K4F170812D, K4F160812D
CMOS DRAM
PACKAGE DIMENSION
28 SOJ
300mil
0
0
0
0.730 (18.54)
0.720 (18.30)
MAX
0.741 (18.82)
M
0
0.0375 (0.95)
0.050 (1.27)
0.032 (0.81)
0.026 (0.66)
0.021 (0.53)
0.015 (0.38)
0.027 (0.69)
MIN
0.012 (0.30)
0.006 (0.15)
0
0
#28
#1
Units : Inches (millimeters)
28 TSOP(II) 300mil
MAX
0.047 (1.20)
MIN
0.002 (0.05)
0.020 (0.50)
0.012 (0.30)
0.050 (1.27)
0.037 (0.95)
0.721 (18.31)
0.729 (18.51)
0.741 (18.81)
MAX
0.010 (0.25)
0.004 (0.10)
0
0
0
Units : Inches (millimeters)
0~8
0.030 (0.75)
0.018 (0.45)
TYP
0.010 (0.25)
O
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PDF描述
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