- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373061 > K4F160812D (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 50V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4F160812D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 50V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 200萬× 8位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁面模式 |
| 文件頁數(shù)： | 19/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | K4F160812D |
K4F170811D, K4F160811D
K4F170812D, K4F160812D
CMOS DRAM
Don
′
t care
Undefined
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE, A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RASS
t
RPS
t
RPC
t
WRP
t
CHS
t
RP
t
CP
t
CSR
W
V
IH
-
V
IL
-
t
WRH
t
OFF
t
RPC
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ3(7)
TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE, A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RPC
t
WTS
t
RPC
t
RP
t
CP
t
CHR
t
CSR
W
V
IH
-
V
IL
-
t
WTH
t
OFF
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ3(7)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F170811D | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F170812D | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612B | AC 6C 6#16S SKT PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4F170111C-BC60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4F170411C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F170411C-B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F170411C-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F170411D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。