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參數(shù)資料
| 型號： | K4H560838E-GCC4 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 26.97Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 21 SOT-363 3K/REEL |
| 中文描述： | 256Mb的電子芯片的DDR 400內(nèi)存規(guī)格60Ball FBGA封裝（x4/x8） |
| 文件頁數(shù)： | 1/19頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | K4H560838E-GCC4 |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Rev. 1.1 August. 2003
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
Revision 1.1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560838E-GCCC | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 29.77Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 23 SOT-363 3K/REEL |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K4H560838E-NC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
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