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參數(shù)資料
| 型號： | K4S161622E |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 16/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | K4S161622E |
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K4S161622E
CMOS SDRAM
Rev 1.1 Jan '03
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note :
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
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2
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3
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0
D
1
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2
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3
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0
RD
WR
RD
WR
Hi-Z
Hi-Z
RD
WR
Q
0
D
1
D
2
D
3
D
0
Note 1
Hi-Z
(a) CL=2, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
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2
RD
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3
WR
D
0
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1
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0
RD
WR
RD
WR
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1
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2
D
3
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0
RD
WR
RD
WR
D
1
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2
D
3
D
0
Hi-Z
Note 1
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC80 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
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| K4S161622ETC60 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW |
| K4S161622E-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
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