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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K6T1008C2C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128K的x8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 189K |
| 代理商： | K6T1008C2C |
PRELIMINARY
K6T1008C2C Family
CMOS SRAM
Revision 2.0
November 1997
10
32 THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE1 (0820F)
#32
1.00
±0.10
0.039
±0.004
MAX
8.40
0.331
0
.1
0
.0
0
4
#1
0.50
(
)
0.020
18.40
±0.10
0.724
±0.004
0.45 ~0.75
0.018 ~0.030
20.00
±0.20
0.787
±0.008
#17
+0.10
0.15
-0.05
+0.004
0.006
-0.002
0~8
°
+0.10
0.20
-0.05
+0.004
0.008
-0.002
0.50
0.0197
0.25
(
)
0.010
MIN
0.05
0.002
MAX
1.20
0.047
8
.0
0
.3
1
5
TYP
0.25
0.010
#16
PACKAGE DIMENSIONS
Units: millimeter(inch)
32 THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE1 (0820R)
#32
1.00
±0.10
0.039
±0.004
M
A
X
8
.4
0
.3
3
1
#1
0.50
(
)
0.020
18.40
±0.10
0.724
±0.004
0.45 ~0.75
0.018 ~0.030
20.00
±0.20
0.787
±0.008
#17
+0.10
0.15
-0.05
+0.004
0.006
-0.002
0~8
°
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0.20
-0.05
+0.004
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-0.002
0.50
0.0197
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(
)
0.010
MIN
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A
X
0
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0
.0
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M
A
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7N403609B-QI22 | 128K X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PQFP100 |
| K7Q161854A-FC20 | 1M X 18 QDR SRAM, 2.2 ns, PBGA165 |
| K7R161884B | 512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| K7R163684B | 512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| K7R323682 | 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K6T1008C2C-B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2C-DB55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2C-DB70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2C-DB70000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K6T1008C2C-DL55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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