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參數(shù)資料
| 型號： | K7B801825B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM |
| 中文描述： | 256Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 2/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 439K |
| 代理商： | K7B801825B |
K7B801825B
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
- 2 -
Rev 3.0
Nov. 2003
K7B803625B
8Mb SB/SPB Synchronous SRAM Ordering Information
Org.
Part Number
Mode
VDD
Speed
FT ; Access Time(ns)
Pipelined ; Cycle Time(MHz)
PKG
Temp
512Kx18
K7B801825B-QC(I)65/75
SB
3.3
6.5/7.5 ns
Q:
100TQFP
C:
Commercial
Temperature
Range
I:
Industrial
Temperature
Range
K7A801800B-QC(I)16/14
SPB(2E1D)
3.3
167/138 MHz
K7A801809B-QC(I)25
SPB(2E1D)
3.3
250 MHz
256Kx36
K7B803625B-QC(I)65/75
SB
3.3
6.5/7.5 ns
K7A803600B-QC(I)16/14
SPB(2E1D)
3.3
167/138 MHz
K7A803609B-QC(I)25
SPB(2E1D)
3.3
250 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7B803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM |
| K7I161882B-FC16 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM |
| K7I161882B-FC20 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM |
| K7I161882B-FC25 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM |
| K7I161882B-FC30 | 512Kx36-bit, 1Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7B801825B-PC75000 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| K7B801825B-QC65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM |
| K7B801825B-QC65000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 6.5ns 100-Pin TQFP 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 6.5ns 100-Pin TQFP |
| K7B801825B-QC75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM |
| K7B801825B-QC75000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 7.5ns 100-Pin TQFP Tray |
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