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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7N163645A-Q(F)C(I)13 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 279K |
| 代理商： | K7N163645A-Q(F)C(I)13 |
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512Kx36 & 1Mx18 Pipelined N
t
RAM
TM
- 4 -
Rev 3.0
Nov. 2003
K7N161801A
K7N163601A
PIN CONFIGURATION
(TOP VIEW)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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16
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18
19
20
21
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23
24
25
26
27
28
29
30
100 Pin TQFP
(20mm x 14mm)
NC/DQPc
DQc
0
DQc
1
V
DDQ
V
SSQ
DQc
2
DQc
3
DQc
4
DQc
5
V
SSQ
V
DDQ
DQc
6
DQc
7
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQd
0
DQd
1
V
DDQ
V
SSQ
DQd
2
DQd
3
DQd
4
DQd
5
V
SSQ
V
DDQ
DQd
6
DQd
7
NC/DQPd
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb/NC
DQb
7
DQb
6
V
DDQ
V
SSQ
DQb
5
DQb
4
DQb
3
DQb
2
V
SSQ
V
DDQ
DQb
1
DQb
0
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQa
7
DQa
6
V
DDQ
V
SSQ
DQa
5
DQa
4
DQa
3
DQa
2
V
SSQ
V
DDQ
DQa
1
DQa
0
DQPa/NC
1
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
8
8
8
8
8
8
8
8
A
6
A
7
C
1
C
2
B
B
B
B
C
2
V
D
V
S
C
W
C
O
A
A
1
A
1
A
8
8
A
9
5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
3
3
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
N
N
V
D
V
S
N
N
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
3
L
PIN NAME
Note :
1. A
0
and A
1
are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
SYMBOL
PIN NAME
TQFP PIN NO.
SYMBOL
PIN NAME
TQFP PIN NO.
A
0
- A
18
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWx(x=a,b,c,d)
OE
ZZ
LBO
Address Inputs
Address Advance/Load
Read/Write Control Input
Clock
Clock Enable
Chip Select
Chip Select
Chip Select
Byte Write Inputs
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Mode Control
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,81
82,83,84,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94,95,96
86
64
31
V
DD
V
SS
N.C.
DQa
0
~a
7
DQb
0
~b
7
DQc
0
~c
7
DQd
0
~d
7
DQPa~P
d
or NC
V
DDQ
V
SSQ
Power Supply(+3.3V)
Ground
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
(3.3V or 2.5V)
Output Ground
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
38,39,42,43
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
K7N163601A(512Kx36)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7N163645A-Q(F)C(I)16 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163645A-Q(F)C(I)20 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163645A-Q(F)C(I)25 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163601 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N161845A | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7N163645A-QFCI25/20/16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N163645-FC13 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7N163645-FC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7N163645-FC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7N163645-FC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
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