參數(shù)資料
型號(hào)： K8D6316UBM-DC07
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
元件分類： DRAM
英文描述： 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
中文描述： 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存
文件頁數(shù)： 30/48頁
文件大?。?/td> 767K
代理商： K8D6316UBM-DC07
NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
30
Figure 13. Temporary Block Group Unprotect Routine
Start
RESET=V
ID
(Note 1)
Notes :
1. All protected block groups are unprotected.
( If WP/ACC = V
IL
, the two outermost boot blocks remain protected )
2. All previously protected block groups are protected once again.
Perform Erase or
Program Operations
Temporary Block
Unprotect Completed
(Note 2)
RESET=V
IH
Start
DQ7 = Data
No
DQ5 = 1
Fail
Pass
Yes
Figure 11. Data Polling Algorithms
Figure 12. Toggle Bit Algorithms
DQ7 = Data
No
No
Yes
Read(DQ0~DQ7)
Valid Address
Read(DQ0~DQ7)
Valid Address
Start
DQ6 = Toggle
No
DQ5 = 1
Fail
Pass
No
DQ6 = Toggle
Yes
Yes
No
Read twice(DQ0~DQ7)
Valid Address
Read(DQ0~DQ7)
Valid Address
Yes
Yes
Read(DQ0~DQ7)
Valid Address
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PDF描述
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參數(shù)描述
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