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參數(shù)資料
| 型號： | K8D6316UBM-DC07 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 43/48頁 |
| 文件大小： | 767K |
| 代理商： | K8D6316UBM-DC07 |
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NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
43
Toggle Bit During Internal Routine Operation
SWITCHING WAVEFORMS
t
DH
CE
Address*
OE
DQ6/DQ2
WE
RY/BY
Data In
t
AHT
t
AHT
t
ASO
t
AS
t
CEPH
t
OEH2
t
OEPH
Status
Data
t
OE
Status
Data
Status
Data
Array Data Out
Note :
Address for the write operation must include a bank address (A20~A21) where the data is written.
DQ
6
WE
DQ
2
Enter
Embedded
Erasing
Erase
Suspend
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Resume
Erase
Erase Suspend
Read
Erase
Erase
Complete
Erase Suspend
Read
Note :
DQ2 is read from the erase-suspended block.
Toggle
DQ
2
and DQ
6
with OE or CE
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Output Enable Access Time
t
OE
-
25
-
25
-
35
ns
OE Hold Time
t
OEH2
10
-
10
-
10
-
ns
Address Hold Time
t
AHT
0
-
0
-
0
-
ns
Address Setup
t
ASO
55
-
55
-
55
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
0
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
0
-
ns
CE High during toggle bit polling
t
CEPH
20
-
20
-
20
-
ns
OE High during toggle bit polling
t
OEPH
20
-
20
-
20
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-YC07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YC08 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YC09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YI07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YI08 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-DC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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