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參數(shù)資料
| 型號： | K8D6316UBM-DC07 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 36/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | K8D6316UBM-DC07 |
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NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
36
Hardware Reset/Read Operations
SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
t
RC
70
-
80
-
90
-
ns
Address Access Time
t
AA
-
70
-
80
-
90
ns
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
-
90
ns
Output Hold Time from Address, CE or OE
t
OH
0
-
0
-
0
-
ns
RESET Pulse Width
t
RP
500
-
500
-
500
-
ns
RESET High Time Before Read
t
RH
50
-
50
-
50
-
ns
RESET
Address
CE
Outputs
High-Z
t
RC
Address Stable
t
AA
t
CE
t
OH
t
RH
t
RH
t
RP
Output Valid
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-YC07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YC08 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YC09 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YI07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YI08 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UBM-DC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-DI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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